Стоимость прохождения процедур оценки результатов обучения с идентификацией личности - 7000 Р.
Стоимость полного доступа к материалам курса — 7000 ₽ (включая НДС 22%). Оплата — единоразово, 100% предоплата. Доступ открывается сразу после оплаты.
У курса есть бесплатная ознакомительная часть: нажмите на кнопку “Записаться”, этот курс появится у вас в разделе “Мои курсы”, и вы сможете посмотреть бесплатные общедоступные видеолекции, после чего принять решение: покупать курс или нет.
Вы можете пройти повышение квалификации по этому курсу в онлайн-формате. В отличие от сертификата, удостоверение о повышении квалификации — это официальный документ государственного образца (72 часа, ФИС ФРДО).
Записаться на программу повышения квалификации можно по ссылке.
Как получить сертификат?
Оплатить доступ ко всему контенту, пройти все тесты (включая итоговый) минимум на 60 баллов из 100. Напоминаем - это не документ государственного образца.
Как долго будет доступен курс?
Доступ к видеолекциям сохраняется на весь период сессии (минимум 14 дней с даты оплаты). Вы можете вернуться к материалам в любое время.
Какие технические требования?
Компьютер с доступом в интернет (от 1 Мбит/с), современный браузер.
Остались вопросы? Напишите нам: openedu@mephi.ru
Обучение ведётся на русском языке. Все услуги предоставляются в соответствии с публичной офертой.
Физическое материаловедение: Учебник для вузов:./ Под общей ред. Б. А. Калина. М.:НИЯУ МИФИ, 2012. Т. 1. Физика твердого тела / Г.Н. Елманов, А. Г. Залужный, В.И. Скрытный, Е.А. Смирнов, Ю.А. Перлович, В.Н. Яльцев. Гл. 1. Физическая кристаллография. М.:НИЯУ МИФИ, 2012. – 764 с.
Яльцев В.Н., Скрытный В.И. Практикум по физической кристаллографии: Учебное пособие. М.: НИЯУ МИФИ, 2011. – 88 с.
Необходимо знание основ физики твердого тела, математического анализа, тензорного и векторного анализа, аналитической геометрии, линейной алгебры.
Модуль 1
Неделя 1. Кристаллическое состояние
История развития кристаллографии. Вклад российских и советских ученых в развитие кристаллографии. Основные свойства кристаллического вещества. Решетка и структура кристаллов.
Неделя 2. Основы геометрической кристаллографии
Кристаллографические проекции. Измерение углов между направлениями и плоскостями. Кристаллографические системы координат. Четвертый индекс в гексагональной системе.
Неделя 3. Обратная решетка
Обратная решетка Матрица ортогонального преобразования. Основные формулы структурной кристаллографии.
Модуль 2
Неделя 4. Основы теории групп. Симметрия кристаллов
Закрытые и открытые элементы симметрии. Комбинации элементов симметрии. Элементы теории групп. Точечные группы симметрии. Решетки Бравэ. Пространственные группы. Экспериментальное определение элементов симметрии. Предельные группы симметрии.
Неделя 5. Структура кристаллов
Плотнейшие упаковки. Структурные типы кристаллов химических элементов. Структурные типы соединений типа АВ, АВ2, АmВnCk. Сверхструктуры в твердых растворах замещения.
Неделя 6. Симметрия кристаллов и физические свойства
Принципы симметрии Кюри, Неймана. Тензорное описание физических свойств кристаллов. Упругие свойства кристаллов.
Модуль 3
Неделя 7. Кристаллография пластической деформации
Геометрия пластической деформации в монокристаллах. Системы скольжения в ГЦК, ОЦК, ГПУ кристаллах. Двойникование. Кристаллографическая текстура.
Неделя 8. Развороты зерен
Взаимные развороты зерен. Разворот зерен в поликристалле.
Неделя 9. Кристаллография мартенситных превращений
Мартенситное превращение. Деформация Бейна.
Неделя 10. Кристаллография границ раздела
Кристаллография границ зерен. Решетки совпадающих узлов. Эквивалентные развороты. Кристаллография поверхности. Реконструкция и релаксация поверхности.
В результате обучения по курсу слушатель будет:
Ключевые слова: кристаллография, теория конечных групп, симметрия кристаллов, кристаллические структуры, пластическая деформация, фазовые превращения, границы раздела, сингонии, полюсные фигуры.
Результаты обучения (для сертификата):
Знать: основы кристаллографии и теории конечных групп; симметрии кристаллов; влияние симметрии на физические свойства кристаллов; основные типы кристаллических структур; кристаллографию пластической деформации моно- и поликристаллов; кристаллографию фазовых превращений и границ раздела.
Уметь: решать кристаллографические задачи; определять кристаллографические параметры для всех сингоний; определять матрицы осей симметрии; определять базис и параметры координационных многогранников кристаллов; определять вид прямых, обратных полюсных фигур и функций распределения ориентаций.
Владеть: навыками применения кристаллографического подхода к анализу материалов с учетом влияния симметрии на физические свойства.
