наверх

Основы физики полупроводников и электроники

33 дня
До конца записи
  • Русский

    язык курса

  • 9 недель

    длительность курса

  • от 2 до 6 часов в неделю

    понадобится для освоения

  • 2 зачётных единицы

    для зачета в своем вузе

О курсе

Глубокое понимание аналоговой и цифровой схемотехники базируется на хорошем знании физических принципов работы биполярных и полевых транзисторов. В данном курсе рассматриваются аспекты физики современных полупроводниковых приборов, непосредственно связанные с вопросами разработки электронных схем на транзисторном уровне, а так же даются основы аналоговой и цифровой схемотехники, позволяющие заложить базу для изучения курсов по приборостроению и разработке изделий электронной техники.

Формат

Девять последовательно связанных модулей (наименования есть в программе курса), в каждом модуле контрольные вопросы, зачетные материалы в электронной форме. 

Стоимость доступа к материалам курса за исключением ознакомительной части (включая тестовые материалы и возможность пройти экзамен с прокторингом и получить сертификат) составляет 3600 рублей. Для этого нужно пройти текущее тестирование не меньше чем на 60% и итоговый тест не меньше чем на 60%.

1. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных микросхем: Пер. с англ. - М.: Мир, 1989. - 630 с., ил. ISBN 5-03-001100-5

2. П. Хоровиц, У. Хилл Искусство схемотехники: Пер. с англ. - в двух томах М.: Мир, 1986

Требования

Владение основами интегрального и дифференциального исчисления, векторным и тензорным анализом, курсом общей физики в части электричества и магнетизма, базовые знания в области физики твердого тела или основ физики полупроводников.

Программа курса

Модуль 1. Введение. Принцип работы биполярного транзистора.

Модуль 2. Граничные условия Шокли. Неосновные носители заряда в области базы биполярного транзистора.

Модуль 3. Ток коллектора биполярного транзистора. Ток базы биполярного транзистора. Вольтамперные характеристики биполярного транзистора.

Модуль 4. Графический метод анализа транзисторных схем. Приближенный метод анализа транзисторных схем. Биполярный транзистор в режиме насыщения. Дифференциальный метод анализа транзисторных схем.

Модуль 5. Электрофизические свойства структуры металл-диэлектрик-полупроводник. Транзисторы на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник.

Неделя 6. Логические схемы на полевых МОП-транзисторах. Передача данных и комбинационные логические схемы. Устройства памяти и последовательные логические схемы на основе триггеров.

Результаты обучения

В результате обучения по курсу слушатель получит:

  • Знание основных типовых дискретных полупроводниковых приборов, широко использующихся в микроэлектронике;
  • Знание вольтамперных характеристик приборов и методов расчета нелинейных электрических цепей на основе графического анализа вольтамперных характеристик элементов схемы;
  • Знание функциональных возможностей дискретных полупроводниковых приборов, а также основных ограничений их схемотехнического применения;
  • Знание схемотехнического устройства типовых элементов аналоговой схемотехники: каскада с общим эмиттером, токового зеркало, дифференциального усилителя, выходных двухтактных усилительных каскадов;
  • Знание основных элементов цифровой схемотехники, их электрические параметры;
  • Знание схемотехнической реализации логических элементов цифровой схемотехники на основе дискретных полупроводниковых приборов;
  • Знание функционального назначения и возможностей основных элементов цифровой схемотехники.
  • Умение производить расчет нелинейных электрических цепей на основе графического анализа вольтамперных характеристик элементов схемы;
  • Умение производить расчет электрических параметров основных элементов аналоговой схемотехники: входного сопротивления, выходного сопротивления, передаточных характеристик;
  • Умение разрабатывать схемы, производить инженерный расчет, моделирование, оценку и оптимизацию параметров каскадов, блоков и аналоговых устройств;
  • Умение проектировать схемы обработки аналоговых сигналов на основе операционных усилителей.
  • Владение компьютерными технологиями и  практические навыки компьютерного моделирования аналоговых и аналого-цифровых схем на функциональном и транзисторном уровне с использованием одного из типовых пакетов средств автоматизированного проектирования электронной аппаратуры.

Направления подготовки

Знания

  • основные типовы дискретных полупроводниковых приборов, широко использующихся в микроэлектронике;
  • вольтамперные характеристики приборов и методы расчета нелинейных электрических цепей на основе графического анализа вольтамперных характеристик элементов схемы;
  • функциональные возможности дискретных полупроводниковых приборов, а также основные ограничения их схемотехнического применения;
  • схемотехническое устройство типовых элементов аналоговой схемотехники: каскада с общим эмиттером, токового зеркало, дифференциального усилителя, выходных двухтактных усилительных каскадов;
  • основные элементы цифровой схемотехники, их электрические параметры;
  • схемотехническую реализацию логических элементов цифровой схемотехники на основе дискретных полупроводниковых приборов;
  • функциональное назначение и возможности основных элементов цифровой схемотехники.

Умения

  • производить расчет нелинейных электрических цепей на основе графического анализа вольтамперных характеристик элементов схемы;
  • производить расчет электрических параметров основных элементов аналоговой схемотехники: входного сопротивления, выходного сопротивления, передаточных характеристик;
  • разрабатывать схемы, производить инженерный расчет, моделирование, оценку и оптимизацию параметров каскадов, блоков и аналоговых устройств;
  • проектировать схемы обработки аналоговых сигналов на основе операционных усилителей.

Навыки

  • владеть компьютерными технологиями и  практические навыки компьютерного моделирования аналоговых и аналого-цифровых схем на функциональном и транзисторном уровне с использованием одного из типовых пакетов средств автоматизированного проектирования электронной аппаратуры.

Отзывы о курсе

Бакеренков Александр Сергеевич

Кандидат технических наук
Должность: Доцент отделения нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике офиса образовательных программ НИЯУ МИФИ

сертификат об окончании курса

Сертификат

По данному курсу возможно получение сертификата.

Стоимость прохождения процедур оценки результатов обучения с идентификацией личности - 3600 Р.

Похожие курсы