Стоимость доступа к материалам курса за исключением ознакомительной части (включая тестовые материалы и возможность пройти экзамен с прокторингом и получить сертификат) составляет 3600 рублей. Для этого нужно пройти текущее тестирование не меньше чем на 60% и итоговый тест не меньше чем на 60%.
Стоимость полного доступа к материалам курса — 7000 ₽ (включая НДС 22%). Оплата — единоразово, 100% предоплата. Доступ открывается сразу после оплаты.
У курса есть бесплатная ознакомительная часть: нажмите на кнопку “Записаться”, этот курс появится у вас в разделе “Мои курсы”, и вы сможете посмотреть бесплатные общедоступные видеолекции, после чего принять решение: покупать курс или нет.
Вы можете пройти повышение квалификации по этому курсу в онлайн-формате. В отличие от сертификата, удостоверение о повышении квалификации — это официальный документ государственного образца (72 часа, ФИС ФРДО).
Записаться на программу повышения квалификации можно по ссылке.
Девять последовательно связанных модулей (наименования есть в программе курса), в каждом модуле контрольные вопросы, зачетные материалы в электронной форме.
Стоимость доступа к материалам курса за исключением ознакомительной части (включая тестовые материалы и возможность пройти экзамен с прокторингом и получить сертификат) составляет 3600 рублей. Для этого нужно пройти текущее тестирование не меньше чем на 60% и итоговый тест не меньше чем на 60%.
1. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных микросхем: Пер. с англ. - М.: Мир, 1989. - 630 с., ил. ISBN 5-03-001100-5
2. П. Хоровиц, У. Хилл Искусство схемотехники: Пер. с англ. - в двух томах М.: Мир, 1986
Владение основами интегрального и дифференциального исчисления, векторным и тензорным анализом, курсом общей физики в части электричества и магнетизма, базовые знания в области физики твердого тела или основ физики полупроводников.
Модуль 1. Введение. Принцип работы биполярного транзистора.
Модуль 2. Граничные условия Шокли. Неосновные носители заряда в области базы биполярного транзистора.
Модуль 3. Ток коллектора биполярного транзистора. Ток базы биполярного транзистора. Вольтамперные характеристики биполярного транзистора.
Модуль 4. Графический метод анализа транзисторных схем. Приближенный метод анализа транзисторных схем. Биполярный транзистор в режиме насыщения. Дифференциальный метод анализа транзисторных схем.
Модуль 5. Электрофизические свойства структуры металл-диэлектрик-полупроводник. Транзисторы на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник.
Неделя 6. Логические схемы на полевых МОП-транзисторах. Передача данных и комбинационные логические схемы. Устройства памяти и последовательные логические схемы на основе триггеров.
В результате обучения по курсу слушатель получит:

Course enrollment is currently closed