Основы физики полупроводников и схемотехники

Стоимость полного доступа к материалам курса — 7000 ₽ (включая НДС 22%). Оплата — единоразово, 100% предоплата. Доступ открывается сразу после оплаты. 

У курса есть бесплатная ознакомительная часть: нажмите на кнопку “Записаться”, этот курс появится у вас в разделе “Мои курсы”, и вы сможете посмотреть бесплатные общедоступные видеолекции, после чего принять решение: покупать курс или нет.

Что вы получите после оплаты:

• Доступ ко всем материалам курса (видеолекции + тесты).
• Возможность пройти итоговый тест с процедурой идентификацией личности (прокторинг).
• Возможность получить электронный сертификат, если наберете 60% баллов за тесты к разделам и итоговый тест. ВАЖНО: сертификат не является документом государственного образца!
• Если вы хотите пройти курс как программу повышения квалификации с выдачей удостоверения гос. образца - напишите на openedu@mephi.ru

Как оплатить и получить доступ ко всем материалам:

• Зарегистрируйтесь на портале openedu.ru.
• Запишитесь на курс (кнопка "Записаться" справа).
• Курс появится в разделе “Мои курсы”, вы сможете посмотреть бесплатную часть.
• Оплатите курс в разделе "Мои курсы".
• Сразу после оплаты вам откроется доступ ко всем материалам.
• Изучайте материалы в удобное время, без дедлайнов и дополнительных проверок.

Хотите официальное удостоверение?

Вы можете пройти повышение квалификации по этому курсу в онлайн-формате. В отличие от сертификата, удостоверение о повышении квалификации — это официальный документ государственного образца (72 часа, ФИС ФРДО).

Записаться на программу повышения квалификации можно по ссылке.

• Онлайн-курс представляет собой набор видеолекций по темам из программы, тесты к разделам и итоговый тест, который проходится с идентификацией личности (прокторингом). 
• Часть материала доступна бесплатно, для получения доступа ко всему контенту нужно оплатить, ознакомившись с офертой.
• Доступ ко всем материалам открывается сразу после оплаты.
• Вы можете не платить, не познакомившись с бесплатной частью контента.
• Учитесь в удобное время, без жёсткого графика.

Часто задаваемые вопросы

Как получить сертификат?
Оплатить доступ ко всему контенту, пройти все тесты (включая итоговый) минимум на 60 баллов из 100. Напоминаем - это не документ государственного образца.

Как долго будет доступен курс?
Доступ к видеолекциям сохраняется на весь период сессии (минимум 14 дней с даты оплаты). Вы можете вернуться к материалам в любое время.

Какие технические требования?
Компьютер с доступом в интернет (от 1 Мбит/с), современный браузер.

Остались вопросы? Напишите нам: openedu@mephi.ru

Обучение ведётся на русском языке. Все услуги предоставляются в соответствии с публичной офертой.

Основная литература к курсу:

1. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных микросхем: Пер. с англ. - М.: Мир, 1989. - 630 с., ил. ISBN 5-03-001100-5

2. П. Хоровиц, У. Хилл Искусство схемотехники: Пер. с англ. - в двух томах М.: Мир, 2020, ISBN 978-5-9518-0351-1

3. У.Титце, К. Шенк. Полупроводниковая схемотехника: Пер. с англ. - в двух томах: ДМК пресс, 2008, ISBN 978-5-97060-173-0

Дополнительная литература к курсу:

1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. Изд. 9 2020. 480 с. ISBN 978-5-8114-0368-4.
2. Петросянц К. О., Козынко П. А., Рябов Н. И., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Электроника интегральных схем. Лабораторные работы и упражнения. Учебное пособие / Под общ. ред.: К. О. Петросянц. М. : Солон-Пресс, 2017.
3. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Изд. 2-е перераб.: Лаборатория базовых знаний, 2001г. - 488с.

МОДУЛЬ 1

Лекция 1. Введение. Электрофизические свойства полупроводников, металлов и диэлектриков. Закон действующих масс.

Лекция 2. Концентрация электронов и дырок в примесных полупроводниках. Подвижность носителей заряда. Удельное сопротивление легированного полупроводника. Зависимость подвижности носителей заряда от концентрации легирующей примеси и температуры.

Лекция 3. Зонные структуры материалов. Распределение Ферми-Дирака. Распределение электронов по энергетическим зонам кремния. Работа выхода и сродство к электрону.

Лекция 4. Полупроводниковый p-n переход. Баланс зарядов в равновесном p-n переходе. Электрические режимы p-n перехода. Граничные условия Шокли. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.

Лекция 5. Биполярные транзисторы. Виды биполярных транзисторов. Режимы работы биполярного транзистора. Равновесная и избыточная концентрация носителей заряда. Структура с длинной базой. Структура с короткой базой. Ток коллектора биполярного транзистора.

МОДУЛЬ 2

Лекция 6. Эффект Эрли. Рекомбинация и условие электронейтральности. Структура базы биполярного транзистора. Движение носителей заряда в базе биполярного транзистора в нормальном активном режиме. Составляющие тока базы биполярного транзистора.

Лекция 7. Передаточная характеристика биполярного транзистора. Аналитическое и численное представление передаточной характеристики. Крутизна биполярного транзистора. Входные и выходные характеристики биполярного транзистора. Аналитическое и численное описание выходных характеристик.

Лекция 8. Графический метод анализа транзисторных схем.  Каскад с общим эмиттером. Температурная зависимость падения напряжения на эмиттерном переходе.

Лекция 9. Биполярный транзистор в режиме насыщения. Транзисторный человек. Каскад с общим эмиттером (применение модели транзисторного человека). Каскад с общим эмиттером в режиме насыщения. Передаточная характеристика каскада с общим эмиттером с учетом режима насыщения.

Лекция 10. Дифференциальный метод анализа транзисторных схем. Ток базы и ток коллектора как функции напряжений эмиттер-база и коллектор эмиттер. Ток коллектора в дифференциальной форме. Ток базы в дифференциальной форме.

МОДУЛЬ 3

Лекция 11. Структура металл-диэлектрик-полупроводник. Электрофизические свойства структуры металл-диэлектрик-полупроводник. Зонные диаграммы материалов МОП-структуры. Режим аккумуляции. Режим обеднения. Инверсный режим.

Лекция 12. Транзисторы на основе структуры Металл-Диэлектрик-Полупроводник. Структура и принципы работы. Режимы работы. Передаточная характеристика.

Лекция 13. Логические схемы на полевых МОП-транзисторах. Логические элементы «И», «ИЛИ», «НЕ».

Лекция 14. Комбинационные Логические Схемы. Полусумматор. Дешифратор. Мультиплексор. Демультиплексор.

Лекция 15. Устройства памяти и последовательные логические схемы на основе триггеров. RS – триггер. Типы триггеров.

В результате прохождения курса слушатель будет:

• Знать простейшие физические принципы кремниевой электроники; основы физики работы электронных приборов; основные типы дискретных полупроводниковых приборов; вольтамперные характеристики приборов и методы расчета нелинейных электрических цепей; функциональные возможности дискретных полупроводниковых приборов; схемотехническое устройство типовых элементов аналоговой схемотехники; основные элементы цифровой схемотехники и их электрические параметры; функциональное назначение и возможности основных элементов цифровой схемотехники.
• Уметь выполнять численные оценки электрофизических параметров микроэлектронных структур; рассчитывать нелинейные электрические цепи на основе графического анализа ВАХ; рассчитывать электрические параметры основных элементов аналоговой схемотехники; разрабатывать схемы, проводить инженерный расчёт, моделирование, оценку и оптимизацию параметров каскадов, блоков и аналоговых устройств.
• Владеть навыками расчета физики работы электронных приборов; компьютерными технологиями и практическими навыками компьютерного моделирования аналоговых и аналого-цифровых схем на функциональном и транзисторном уровне с использованием САПР электронной аппаратуры.