наверх

Основы кристаллографии

15 сентября 2020 - 31 января 2021 г.
Курс уже начался
34 дня
До конца записи
  • 10 недель

    длительность курса

  • от 7 до 8 часов в неделю

    понадобится для освоения

  • 2 зачётных единицы

    для зачета в своем вузе

Курс содержит изложение основ геометрической кристаллографии, описание симметрии кристаллов, физических свойств кристаллов, кристаллографии пластической деформации моно- и поликристаллов, границ зерен и мартенситных превращений.

О курсе

В курсе представлены способы описания текстуры и взаимных разворотов зёрен в поликристаллах. При рассмотрении теоретических вопросов используются матричные и тензорные методы.Учебная задача курса - научить студентов при решении материаловедческих задач применять кристаллографический подход, учитывать влияние симметрии кристаллов на анизотропию их физических свойств.

Формат

Данный курс состоит из 3 модулей, которые включают видеоматериалы и тесты.

Физическое материаловедение: Учебник для вузов:./ Под общей ред. Б. А. Калина. М.:НИЯУ МИФИ, 2012. Т. 1. Физика твердого тела / Г.Н. Елманов, А. Г. Залужный, В.И. Скрытный, Е.А. Смирнов, Ю.А. Перлович, В.Н. Яльцев. Гл. 1. Физическая кристаллография. М.:НИЯУ МИФИ, 2012. – 764 с.

Яльцев В.Н., Скрытный В.И. Практикум по физической кристаллографии: Учебное пособие. М.: НИЯУ МИФИ, 2011. – 88 с.

Требования

Необходимо знание основ физики твердого тела, математического анализа, тензорного и векторного анализа, аналитической геометрии, линейной алгебры.

Программа курса

Модуль 1

Неделя 1. Кристаллическое состояние

История развития кристаллографии. Вклад российских и советских ученых в развитие кристаллографии. Основные свойства кристаллического вещества. Решетка и структура кристаллов.

Неделя 2. Основы геометрической кристаллографии

Кристаллографические проекции. Измерение углов между направлениями и плоскостями. Кристаллографические системы координат. Четвертый индекс в гексагональной системе.

Неделя 3. Обратная решетка

Обратная решетка Матрица ортогонального преобразования. Основные формулы структурной кристаллографии.

Модуль 2

Неделя 4. Основы теории групп. Симметрия кристаллов

Закрытые и открытые элементы симметрии. Комбинации элементов симметрии. Элементы теории групп. Точечные группы симметрии. Решетки Бравэ. Пространственные группы. Экспериментальное определение элементов симметрии. Предельные группы симметрии.

Неделя 5. Структура кристаллов

Плотнейшие упаковки. Структурные типы кристаллов химических элементов. Структурные типы соединений типа АВ, АВ2, АmВnCk. Сверхструктуры в твердых растворах замещения.

Неделя 6. Симметрия кристаллов и физические свойства

Принципы симметрии Кюри, Неймана. Тензорное описание физических свойств кристаллов. Упругие свойства кристаллов.

Модуль 3

Неделя 7. Кристаллография пластической деформации

Геометрия пластической деформации в монокристаллах. Системы скольжения в ГЦК, ОЦК, ГПУ кристаллах. Двойникование. Кристаллографическая текстура.

Неделя 8. Развороты зерен

Взаимные развороты зерен. Разворот зерен в поликристалле.

Неделя 9. Кристаллография мартенситных превращений

Мартенситное превращение. Деформация Бейна.

Неделя 10. Кристаллография границ раздела

Кристаллография границ зерен. Решетки совпадающих узлов. Эквивалентные развороты. Кристаллография поверхности. Реконструкция и релаксация поверхности.

Скрытный Владимир Ильич

Нет, нет
Должность: Старший преподаватель отделение ядерной физики и технологий офиса образовательных программ (411) / Институт ядерной физики и технологий

Яльцев Валерий Николаевич

К.т.н., доцент
Должность: доцент НИЯУ МИФИ, отделение ядерной физики и технологий, офис образовательных программ (М)

сертификат об окончании курса

Сертификат

По данному курсу возможно получение сертификата.

Стоимость прохождения процедур оценки результатов обучения с идентификацией личности - 1800 Р.