up

Воздействие ионизирующих излучений космического пространства на электронику

15 September - 15 December 2020 г.
The course has already started
16.275833333333335 hours
До конца записи
  • 10 недели

    длительность курса

  • от 3 до 4 часов в неделю

    понадобится для освоения

  • 2 зачётных единицы

    для зачета в своем вузе

Повышение надежности и увеличения срока активного существования электроники космического применения становится все более актуальным с учетом как экономических аспектов, так и с учетом повышения степени интеграции и функциональной сложности электронных компонентов.

 

О курсе

В курсе приводятся свойства и параметры ионизирующих излучений космического пространства. Излагаются основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с веществом и доминирующие радиационные эффекты, возникающие при этом в полупроводниковых приборах и интегральных схемах.

Программа курса

Тема 1. Источники ионизирующих излучений космического пространства.

Естественные радиационные пояса земли (ЕРПЗ), солнечные (СКЛ)  и галактические космические лучи (ГКЛ), излучение бортовых энергетических установок. Типовые параметры и характеристики.

Тема 2. Физические механизмы взаимодействия излучения с веществом.

Взаимодействие гамма-квантов с материалами полупроводниковой электроники. Взаимодействие нейтронов с материалами полупроводниковой электроники. Взаимодействие протонов с материалами полупроводниковой электроники. Взаимодействие электронов с материалами полупроводниковой электроники. Взаимодействие ионов с материалами полупроводниковой электроники. Ионизационная и структурная доза (керма).

Тема 3. Дозовые ионизационные эффекты в полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах.

Физика формирования дозовых ионизационных эффектов в биполярных полупроводниковых приборах (ПП), изменения характеристик биполярных ПП. Физика формирования дозовых ионизационных эффектов в ПП на основе МДП структур, изменения характеристик ПП на основе МДП структур. Типовая деградация интегральных микросхем (ИС), типовые уровни стойкости технологических базисов и функциональных групп, эффекты низкой интенсивности

Тема 4. Эффекты структурных повреждений в полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах.

Физика формирования эффектов, изменения свойств полупроводников (ПП). Типовая деградация ИС. Типовые уровни стойкости технологических базисов и функциональных групп.

Тема 5. Одиночные эффекты при воздействии отдельных ядерных частиц в полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах.

Физика формирования эффектов; параметры чувствительности. Виды ОРЭ. Типовые проявления ОРЭ в ИМС различных функциональных групп.  Типовые уровни стойкости технологических базисов.

Бакеренков Александр Сергеевич

Кандидат технических наук
Должность: Доцент отделения нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике офиса образовательных программ НИЯУ МИФИ

Похожие курсы