up

Воздействие ионизирующих излучений космического пространства на электронику

Course registration is closed
Subscribe to news and find out the date of the next launch
  • Russian

    course language

  • 10 weeks

    course duration

  • от 3 до 4 часов в неделю

    needed to educate

  • 2 credit points

    for credit at your university

Повышение надежности и увеличения срока активного существования электроники космического применения становится все более актуальным с учетом как экономических аспектов, так и с учетом повышения степени интеграции и функциональной сложности электронных компонентов.

 

About

В курсе приводятся свойства и параметры ионизирующих излучений космического пространства. Излагаются основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с веществом и доминирующие радиационные эффекты, возникающие при этом в полупроводниковых приборах и интегральных схемах.

Course program

Тема 1. Источники ионизирующих излучений космического пространства.

Естественные радиационные пояса земли (ЕРПЗ), солнечные (СКЛ)  и галактические космические лучи (ГКЛ), излучение бортовых энергетических установок. Типовые параметры и характеристики.

Тема 2. Физические механизмы взаимодействия излучения с веществом.

Взаимодействие гамма-квантов с материалами полупроводниковой электроники. Взаимодействие нейтронов с материалами полупроводниковой электроники. Взаимодействие протонов с материалами полупроводниковой электроники. Взаимодействие электронов с материалами полупроводниковой электроники. Взаимодействие ионов с материалами полупроводниковой электроники. Ионизационная и структурная доза (керма).

Тема 3. Дозовые ионизационные эффекты в полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах.

Физика формирования дозовых ионизационных эффектов в биполярных полупроводниковых приборах (ПП), изменения характеристик биполярных ПП. Физика формирования дозовых ионизационных эффектов в ПП на основе МДП структур, изменения характеристик ПП на основе МДП структур. Типовая деградация интегральных микросхем (ИС), типовые уровни стойкости технологических базисов и функциональных групп, эффекты низкой интенсивности

Тема 4. Эффекты структурных повреждений в полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах.

Физика формирования эффектов, изменения свойств полупроводников (ПП). Типовая деградация ИС. Типовые уровни стойкости технологических базисов и функциональных групп.

Тема 5. Одиночные эффекты при воздействии отдельных ядерных частиц в полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах.

Физика формирования эффектов; параметры чувствительности. Виды ОРЭ. Типовые проявления ОРЭ в ИМС различных функциональных групп.  Типовые уровни стойкости технологических базисов.

Education directions

Бакеренков Александр Сергеевич

Кандидат технических наук
Position: Доцент отделения нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике офиса образовательных программ НИЯУ МИФИ

course completion certificate

Certificate

It is possible to get a certificate for this course.

The cost of passing the procedures for assessing learning outcomes with personal identification - 1800 Р.

Similar courses