наверх
  • Русский

    язык курса

  • 10 недель

    длительность курса

  • от 3 до 4 часов в неделю

    понадобится для освоения

  • 2 зачётных единицы

    для зачета в своем вузе

Повышение надежности и увеличения срока активного существования электроники космического применения становится все более актуальным с учетом как экономических аспектов, так и с учетом повышения степени интеграции и функциональной сложности электронных компонентов.

 

О курсе

В курсе приводятся свойства и параметры ионизирующих излучений космического пространства. Излагаются основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с веществом и доминирующие радиационные эффекты, возникающие при этом в полупроводниковых приборах и интегральных схемах.

Списки рекомендуемой литературы приведены в конспектах к модулям курса.

Программа курса

Тема 1. Источники ионизирующих излучений космического пространства.

Естественные радиационные пояса земли (ЕРПЗ), солнечные (СКЛ)  и галактические космические лучи (ГКЛ), излучение бортовых энергетических установок. Типовые параметры и характеристики.

Тема 2. Физические механизмы взаимодействия излучения с веществом.

Взаимодействие гамма-квантов с материалами полупроводниковой электроники. Взаимодействие нейтронов с материалами полупроводниковой электроники. Взаимодействие протонов с материалами полупроводниковой электроники. Взаимодействие электронов с материалами полупроводниковой электроники. Взаимодействие ионов с материалами полупроводниковой электроники. Ионизационная и структурная доза (керма).

Тема 3. Дозовые ионизационные эффекты в полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах.

Физика формирования дозовых ионизационных эффектов в биполярных полупроводниковых приборах (ПП), изменения характеристик биполярных ПП. Физика формирования дозовых ионизационных эффектов в ПП на основе МДП структур, изменения характеристик ПП на основе МДП структур. Типовая деградация интегральных микросхем (ИС), типовые уровни стойкости технологических базисов и функциональных групп, эффекты низкой интенсивности

Тема 4. Эффекты структурных повреждений в полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах.

Физика формирования эффектов, изменения свойств полупроводников (ПП). Типовая деградация ИС. Типовые уровни стойкости технологических базисов и функциональных групп.

Тема 5. Одиночные эффекты при воздействии отдельных ядерных частиц в полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах.

Физика формирования эффектов; параметры чувствительности. Виды ОРЭ. Типовые проявления ОРЭ в ИМС различных функциональных групп.  Типовые уровни стойкости технологических базисов.

Результаты обучения

В результате обучения по курсу слушатель будет 

Знать:

  • Виды и источники ионизирующих излучений космического пространства их состав и основные характеристики.
  • Виды ионизирующих излучений и характеристики, используемые для их описания.
    Знать основные физические механизмы, приводящие к образованию эффектов поглощенной дозы в изделиях электроники.
  • Основные физические механизмы, приводящие к образованию эффектов структурных повреждений в изделиях электроники.
  • Основные физические механизмы, приводящие к образованию одиночных радиационных эффектов в изделиях электроники.

Уметь:

  • Описать формирование основных источников ионизирующих излучений космического пространства.
  • Описать основные физические законы  взаимодействия частиц ионизирующих излучений с веществом, описать формирование первичных радиационных эффектов при воздействии ионизирующих излучений разных видов
  • Описать формирование первичных и вторичных радиационных эффектов поглощенной дозы в изделиях электроники.
  • Описать формирование первичных и вторичных радиационных эффектов структурных повреждений в изделиях электроники.
  • Описать формирование первичных и вторичных одиночных радиационных эффектов в изделиях электроники.

Владеть:

  • Способностью определять основные источники радиационных воздействий в зависимости от типа орбиты
  • Способностью определять доминирующие механизмы и радиационные эффекты при воздействии ионизирующих излучений заданного вида и спектрально-энергетических характеристик
  • Способностью качественно оценить прогнозируемые изменения параметров изделий электроники различных технологических базисов и функциональных групп при проявлении радиационных эффектов поглощенной дозы.
  • Способностью качественно оценить прогнозируемые изменения параметров изделий электроники различных технологических базисов и функциональных групп при проявлении радиационных эффектов структурных повреждений
  • Способностью качественно оценить прогнозируемые изменения параметров изделий электроники различных технологических базисов и функциональных групп при проявлении одиночных радиационных эффектов.

Направления подготовки

Знания

Знание видов и источников ионизирующих излучений космического пространства их состав и основные характеристики.

Знание видов ионизирующих излучений и характеристик, используемые для их описания.
Знание основных физических механизмов, приводящие к образованию эффектов поглощенной дозы в изделиях электроники.

Знание основных физических механизмов, приводящие к образованию эффектов структурных повреждений в изделиях электроники.

Знание основных физических механизмов, приводящие к образованию одиночных радиационных эффектов в изделиях электроники.

Умения

Умение описать формирование основных источников ионизирующих излучений космического пространства.

Умение описать основные физические законы  взаимодействия частиц ионизирующих излучений с веществом, описать формирование первичных радиационных эффектов при воздействии ионизирующих излучений разных видов

Умение описать формирование первичных и вторичных радиационных эффектов поглощенной дозы в изделиях электроники.

Умение описать формирование первичных и вторичных радиационных эффектов структурных повреждений в изделиях электроники.

Умение описать формирование первичных и вторичных одиночных радиационных эффектов в изделиях электроники.

Навыки

Владение способностью определять основные источники радиационных воздействий в зависимости от типа орбиты

Владение способностью определять доминирующие механизмы и радиационные эффекты при воздействии ионизирующих излучений заданного вида и спектрально-энергетических характеристик

Владение способностью качественно оценить прогнозируемые изменения параметров изделий электроники различных технологических базисов и функциональных групп при проявлении радиационных эффектов поглощенной дозы.

Владение  способностью качественно оценить прогнозируемые изменения параметров изделий электроники различных технологических базисов и функциональных групп при проявлении радиационных эффектов структурных повреждений

Владение способностью качественно оценить прогнозируемые изменения параметров изделий электроники различных технологических базисов и функциональных групп при проявлении одиночных радиационных эффектов.

Отзывы о курсе

Бакеренков Александр Сергеевич

Кандидат технических наук
Должность: Доцент отделения нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике офиса образовательных программ НИЯУ МИФИ

Похожие курсы