Воздействие ионизирующих излучений космического пространства на электронику

Стоимость полного доступа к материалам курса — 7000 ₽ (включая НДС 22%). Оплата — единоразово, 100% предоплата. Доступ открывается сразу после оплаты. 

У курса есть бесплатная ознакомительная часть: нажмите на кнопку “Записаться”, этот курс появится у вас в разделе “Мои курсы”, и вы сможете посмотреть бесплатные общедоступные видеолекции, после чего принять решение: покупать курс или нет.

Что вы получите после оплаты:

• Доступ ко всем материалам курса (видеолекции + тесты).
• Возможность пройти итоговый тест с процедурой идентификацией личности (прокторинг).
• Возможность получить электронный сертификат, если наберете 60% баллов за тесты к разделам и итоговый тест. ВАЖНО: сертификат не является документом государственного образца!
• Если вы хотите пройти курс как программу повышения квалификации с выдачей удостоверения гос. образца - напишите на openedu@mephi.ru

Как оплатить и получить доступ ко всем материалам:

• Зарегистрируйтесь на портале openedu.ru.
• Запишитесь на курс (кнопка "Записаться" справа).
• Курс появится в разделе “Мои курсы”, вы сможете посмотреть бесплатную часть.
• Оплатите курс в разделе "Мои курсы".
• Сразу после оплаты вам откроется доступ ко всем материалам.
• Изучайте материалы в удобное время, без дедлайнов и дополнительных проверок.

Хотите официальное удостоверение?

Вы можете пройти повышение квалификации по этому курсу в онлайн-формате. В отличие от сертификата, удостоверение о повышении квалификации — это официальный документ государственного образца (72 часа, ФИС ФРДО).

Записаться на программу повышения квалификации можно по ссылке.

Списки рекомендуемой литературы приведены в конспектах к модулям курса.

Тема 1. Источники ионизирующих излучений космического пространства.

Тема 2. Физические механизмы взаимодействия излучения с веществом.

Тема 3. Дозовые ионизационные эффекты в полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах.

Тема 4. Эффекты структурных повреждений в полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах.

Тема 5. Одиночные эффекты при воздействии отдельных ядерных частиц в полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах.

Знание видов и источников ионизирующих излучений космического пространства их состав и основные характеристики.

Знание видов ионизирующих излучений и характеристик, используемые для их описания.
Знание основных физических механизмов, приводящие к образованию эффектов поглощенной дозы в изделиях электроники.

Знание основных физических механизмов, приводящие к образованию эффектов структурных повреждений в изделиях электроники.

Знание основных физических механизмов, приводящие к образованию одиночных радиационных эффектов в изделиях электроники.

Умение описать формирование основных источников ионизирующих излучений космического пространства.

Умение описать основные физические законы  взаимодействия частиц ионизирующих излучений с веществом, описать формирование первичных радиационных эффектов при воздействии ионизирующих излучений разных видов

Умение описать формирование первичных и вторичных радиационных эффектов поглощенной дозы в изделиях электроники.

Умение описать формирование первичных и вторичных радиационных эффектов структурных повреждений в изделиях электроники.

Умение описать формирование первичных и вторичных одиночных радиационных эффектов в изделиях электроники.

Владение способностью определять основные источники радиационных воздействий в зависимости от типа орбиты

Владение способностью определять доминирующие механизмы и радиационные эффекты при воздействии ионизирующих излучений заданного вида и спектрально-энергетических характеристик

Владение способностью качественно оценить прогнозируемые изменения параметров изделий электроники различных технологических базисов и функциональных групп при проявлении радиационных эффектов поглощенной дозы.

Владение  способностью качественно оценить прогнозируемые изменения параметров изделий электроники различных технологических базисов и функциональных групп при проявлении радиационных эффектов структурных повреждений

Владение способностью качественно оценить прогнозируемые изменения параметров изделий электроники различных технологических базисов и функциональных групп при проявлении одиночных радиационных эффектов.