course language
course duration
needed to educate
for credit at your university
Повышение надежности и увеличения срока активного существования электроники космического применения становится все более актуальным с учетом как экономических аспектов, так и с учетом повышения степени интеграции и функциональной сложности электронных компонентов.
В курсе приводятся свойства и параметры ионизирующих излучений космического пространства. Излагаются основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с веществом и доминирующие радиационные эффекты, возникающие при этом в полупроводниковых приборах и интегральных схемах.
Списки рекомендуемой литературы приведены в конспектах к модулям курса.
Тема 1. Источники ионизирующих излучений космического пространства.
Тема 2. Физические механизмы взаимодействия излучения с веществом.
Тема 3. Дозовые ионизационные эффекты в полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах.
Тема 4. Эффекты структурных повреждений в полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах.
Тема 5. Одиночные эффекты при воздействии отдельных ядерных частиц в полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах.
В результате обучения по курсу слушатель будет
Знать:
Уметь:
Владеть:
Знать виды и источники ионизирующих излучений космического пространства их состав и основные характеристики.
Знать виды ионизирующих излучений и характеристики, используемые для их описания.
Знать основные физические механизмы, приводящие к образованию эффектов поглощенной дозы в изделиях электроники.
Знать основные физические механизмы, приводящие к образованию эффектов структурных повреждений в изделиях электроники.
Знать основные физические механизмы, приводящие к образованию одиночных радиационных эффектов в изделиях электроники.
Уметь описать формирование основных источников ионизирующих излучений космического пространства.
Уметь описать основные физические законы взаимодействия частиц ионизирующих излучений с веществом, описать формирование первичных радиационных эффектов при воздействии ионизирующих излучений разных видов
Уметь описать формирование первичных и вторичных радиационных эффектов поглощенной дозы в изделиях электроники.
Уметь описать формирование первичных и вторичных радиационных эффектов структурных повреждений в изделиях электроники.
Уметь описать формирование первичных и вторичных одиночных радиационных эффектов в изделиях электроники.
Владеть способностью определять основные источники радиационных воздействий в зависимости от типа орбиты
Владеть способностью определять доминирующие механизмы и радиационные эффекты при воздействии ионизирующих излучений заданного вида и спектрально-энергетических характеристик
Владеть способностью качественно оценить прогнозируемые изменения параметров изделий электроники различных технологических базисов и функциональных групп при проявлении радиационных эффектов поглощенной дозы.
Владеть способностью качественно оценить прогнозируемые изменения параметров изделий электроники различных технологических базисов и функциональных групп при проявлении радиационных эффектов структурных повреждений
Владеть способностью качественно оценить прогнозируемые изменения параметров изделий электроники различных технологических базисов и функциональных групп при проявлении одиночных радиационных эффектов.
course language
course duration
needed to educate
for credit at your university
Кандидат технических наук
Position: Доцент отделения нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике офиса образовательных программ НИЯУ МИФИ